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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 技术服务(工艺及测试)|太赫兹/微波毫米波芯片|功率源/光电芯片|异质异构集成芯片
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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
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湖北热源器件及电路芯片工艺定制开发 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院供应

2024-08-12 05:09:16

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务,该芯片相对于Si LDMOS,具有工作频率高、功率大、体积小等优势;相对于传统SiC基GaN芯片,具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势;适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片;南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务;该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品开发服务。湖北热源器件及电路芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供光电器件及电路技术开发。研究院拥有先进的光电器件及电路制备工艺,能够为客户提供定制化的技术开发方案和工艺加工服务。公司致力于研发光电集成芯片,以应对新体制微波光子雷达和光通信等领域的发展需求。在此领域,光芯片、器件与模块将为通信网络和物联网等应用提供强有力的支撑。无论是在技术研发上,还是在工艺制备上,研究院都秉持着高标准和严谨精神。通过不断创新和努力奋斗,研究院将不断提升产品质量和技术水平,以满足客户的需求。氮化镓器件芯片定制开发芯片作为科技发展的力量,将不断推动人类探索未知的领域,实现更多的科技突破和成就。

    南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司在异质异构集成技术服务领域展现出的专业能力和丰富的经验,专注于多种先进集成材料的制备与研发。以下是公司在集成材料方面的能力和重点研究方向:单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆:这些材料是制造高性能射频滤波器的关键,如SAW(声表面波)滤波器、BAW(体声波)滤波器和XBAR滤波器等,广泛应用于通信、雷达和其他高频系统。厚膜与薄膜LiNbO3异质晶圆:此类材料用于构建低损耗光学平台,是光通信、光学传感和其他光子技术的基石。AlGaAs-on-insulator(绝缘体上AlGaAs晶圆):这种材料为新一代片上光源平台提供了可能,特别是在光量子器件等前沿领域,对于量子通信和量子计算至关重要。Miro-Cavity-SOI(内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆):该材料是制造环栅GAA(GaNonInsulator)和MEMS(微电子机械系统)等先进器件平台的关键。SionSiC/Diamond:通过创新性的结合,这种材料解决了传统Si衬底功率器件散热不佳的问题,特别适用于高功率和高频率的应用场景。GaNonSiC:此材料克服了自支撑GaN衬底高性能器件散热的局限,为高温和高功率电子器件带来了性的进步。

      在团队的共同努力下,南京中电芯谷在太赫兹芯片研发领域取得了令人瞩目的成就,成功研发出了一系列技术、性能的太赫兹芯片产品。这些产品不仅在国内市场占据了一席之地,更在国际舞台上展现了中国科技的实力与风采,赢得了业界的普遍赞誉。在追求技术创新的同时,南京中电芯谷还高度重视与外界的合作与交流。公司与国内外众多企业、高校及研究机构建立了稳固的合作关系,通过资源共享、优势互补,共同推动太赫兹芯片技术的快速发展。此外,公司还积极参与国内外各类学术交流活动,与业界同仁共话未来,分享经验,携手并进,共同为太赫兹芯片技术的进步贡献力量。芯谷高频公司拥有芯片研发与制造能力,能够高效地完成芯片流片,包括太赫兹、异质异构集成等领域芯片。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司拥有先进的硅基氮化镓产品开发技术。公司致力于提高半导体器件的性能。在研发过程中,公司深度探究硅基氮化镓器件与芯片技术,不断创新,不断提高研究水平。目前,公司已经拥有一批有经验和实力的团队,在硅基氮化镓方面拥有多年的研究和实践经验。公司采用先进的工艺流程,推行高效率的管理模式,不断探索创新型的研发模式,以提升企业的研究开发能力和效率。在市场方面,公司积极总结经验,探究市场需求,根据客户的具体需求进行定制化设计开发,为客户提供质量优秀的硅基氮化镓产品。未来,公司将继续不断创新和发展,秉承“科技改变生活,创新铸就未来”的理念,不断推动半导体技术的发展。芯谷高频研究院的CVD用固态微波功率源产品可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发。湖北热源器件及电路芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务。湖北热源器件及电路芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司专注于大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品的研发与创新,致力于为客户提供高效、可靠的解决方案。公司的产品具备优良的耐功率和高速性能,能够大幅提高整流功率和效率,满足客户在通信、航空航天、医疗等领域的需求。公司的研发团队经验丰富,技术实力雄厚,能够深入理解客户的需求,并根据客户需求量身定制解决方案。公司始终关注市场动态和科技发展趋势,不断投入研发力量,推动大功率氮化镓微波毫米波/太赫兹产品的创新与发展。公司深知客户的需求是我们的动力,因此公司将持续研发创新产品,提供技术咨询、解决方案和全程技术支持,以满足客户不断变化的需求。选择南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司,客户将获得专业的产品和服务,共同开创美好的未来。湖北热源器件及电路芯片工艺定制开发

关于我们

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院成立于2018年5月24日,研究院依托固态微波器件与电路全国重点实验室(南京)、中国电科五十五所,聚焦高频电子器件领域,围绕太赫兹技术、微波毫米波芯片、光电集成芯片、异质异构集成芯片、碳电子器件五大研究方向开展产业共性关键技术研发、科技成果集成、技术转移转化、技术服务、产业发展战略研究、高科技企业孵化,建成先进的高频器件产业孵化平台,推进高频器件产业化进程。

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